Cụ thể, dưới sự chủ trì của PGS.TS. Đoàn Đình Phương, nhóm nghiên cứu vật liệu kim loại tiên tiến đã thực hiện hợp phần“Nghiên cứu công nghệ chế tạo một số cũng loại hợp kim Vonfram ứng dụng làm lõi đạn xuyên động năng trong quân sự” trong 3 năm và đã chế tạo thành công lõi xuyên cho đạn pháo 85mm bằng hợp kim WC-Ni.

Theo nhóm nghiên cứu, về cơ bản, vũ khí tiêu diệt xe tăng dựa trên 2 nguyên lý cơ bản là chế tạo được Đạn nổ lõm (nguyên lý của đạn chống tăng nổi tiếng B40, B41 trong thời kỳ trước đây, hay hiện nay là súng RPG-29, tên lửa chống tăng...) và đạn xuyên động năng (bộ phận chủ yếu của đầu đạn là một thanh kim loại với khối lượng riêng lớn được pháo bắn đi với vận tốc cao từ 1,5 đến 1,9km/s. Khi đầu đạn chạm mục tiêu (xe tăng địch), thanh kim loại (thường làm bằng hợp kim Vonfram hoặc Urani nghèo) sẽ xuyên qua lớp thép vỏ của xe nhờ động năng được tạo ra bởi khối lượng và vận tốc di chuyển cực lớn của đầu đạn.

Lần đầu tiên Việt Nam chế tạo thành công đạn xuyên động năng chống xe tăng. Ảnh: Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.

Để giải quyết vấn đề tỷ trọng, nhóm nghiên cứu đã dùng công nghệ ép nóng đảng tĩnh ở nhiệt độ và áp suất cao (gần 1500 độ C và 1000 atmosphere) nhằm tạo ra hợp kim có mật độ xít chặt hoàn toàn, đồng đều trong toàn bộ thể tích.

Để tăng được độ dai cho hợp kim, nhóm đã tiến hành những nghiên cứu chuyên sâu về vật lý kim loại và đã tìm ra phương pháp loại bỏ pha êta (h phase) trong cấu trúc hợp kim, đây là pha gây giòn, làm cho độ giai của hợp kim giảm mạnh. Phát hiện này cũng đã được nhóm nghiên cứu công bố trên tạp chí quốc tế ISI có uy tín về vật liệu kim loại và gốm.

Kết quả là lõi xuyên bằng hợp kim WC-Ni do nhóm nghiên cứu chế tạo đạt được mọi yêu cầu kỹ thuật đề ra về tỷ trọng, độ bền, độ dai, độ cứng và độ đồng đều.

Kết quả bắn thử nghiệm đạn thật cho thấy, đạn xuyên động năng pháo 85mm có sử dụng lõi xuyên do nhóm chế tạo đã đạt được các yêu cầu về độ xuyên thép, cũng như các yêu cầu kỹ thuật khác.

Trước đó, Việt Nam mới sản xuất được đạn chống tăng theo nguyên lý nổ lõm. Tuy nhiên, trong chiến tranh hiện đại, loại đạn này thường bị các cơ cấu phòng thủ bị động là giáp phản ứng nổ đặt quanh thành xe, hoặc cơ cấu phòng thủ chủ động là các vũ khí tia laser gắn trên xe tăng vô hiệu hóa.

Chỉ đạn xuyên động năng (có động năng lớn) có khả năng xuyên qua được giáp phản ứng nổ và vỏ thép của xe. Đạn xuyên động năng bay rất nhanh, từ khi bắn đến lúc chạm mục tiêu dưới 1 giây, do đó các vũ khí laser không thể đối phó được.

Vì vậy, chế tạo được đạn chống tăng theo nguyên lý đạn xuyên động năng đã được ngành công nghiệp quốc phòng của Việt Nam triển khai từ rất lâu, nhưng chưa thành công, do không chế tạo được lõi xuyên đạt yêu cầu kỹ thuật về tỷ trọng, độ dai, độ bền.

Bia thép sau khi bắn thử nghiệm. Ảnh: Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.

Đây là lần đầu tiên ở nước ta đã chế tạo thành công đạn xuyên động năng chống xe tăng và xe thiết giáp. Trong đó, nhóm nghiên cứu của Viện Công nghệ - Tổng cục Công nghiệp Quốc phòng chế tạo toàn bộ quả đạn (trừ lõi xuyên) và nhóm nghiên cứu của PGS.TS Đoàn Đình Phương chế tạo lõi xuyên.

Kết quả nghiên cứu đang được Tổng cục Công nghiệp Quốc phòng tiếp tục ứng dụng để chế tạo các loại đạn chống tăng cho pháo lớn hơn như pháo 100 mm và 125 mm với chiều sâu xuyên và uy lực lớn hơn. Giải thưởng Trần Đại Nghĩa năm 2019 cũng vừa được trao cho nhóm tác giả công trình này. Các kết quả nghiên cứu được Hội đồng Giải thưởng đánh giá là có đóng góp quan trọng cho quốc phòng an ninh, mở rộng khả năng chủ động về công nghệ vũ khí cho quân đội Việt Nam.

Thanh Hùng

Trao giải thưởng Trần Đại Nghĩa năm 2019 cho 4 công trình khoa học

Sáng 17/5, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam tổ chức lễ trao tặng Giải thưởng Trần Đại Nghĩa năm 2019 cho 4 nhóm tác giả của 4 công trình khoa học.  

Thế nhưng, doanh số bán hàng bắt đầu sụt giảm khi lệnh phong toả được dỡ bỏ, và càng lao dốc khi lạm phát phi mã.

Tất cả các yếu tố này đẩy lĩnh vực chip nhớ trị giá 160 tỷ USD rơi vào tình trạng mất cân bằng cung-cầu. Số lượng hàng tồn kho tăng đột biến. Giá DRAM (bộ nhớ truy cập) và NAND (bộ nhớ lưu trữ) giảm mạnh. Chỉ tính riêng bộ phận bán dẫn, Samsung dự kiến lỗ khoảng 2,7 tỷ USD.

“Vấn đề lớn nhất hiện nay là lượng hàng tồn kho quá cao, để giải quyết tình trạng này, công ty sẽ phải cắt giảm sản lượng”, Lee Seung-woo, nhà phân tích tại Eugene Investment & Securities, cho biết.

Theo công ty nghiên cứu thị trường TrendForce, trong quý I, giá DRAM đã giảm 20% và dự kiến tiếp tục giảm thêm từ 10% đến 15% trong quý II. Trong khi đó chip NAND giảm 15% và dự kiến xuống sâu thêm 5% đến 10% quý tiếp theo.

“Giá bộ nhớ giảm sâu hơn kỳ vọng của thị trường trong quý đầu tiên do nhu cầu thấp”, Baik Gilhyun, chuyên gia phân tích tại Yuanta Securities nói. “Giá sẽ vẫn giảm nhưng với tốc độ chậm hơn ở quý hiện tại. Dư địa để giá trượt dốc không còn nhiều vì giá hợp đồng DRAM và NAND đang về chạm ngưỡng chi phí tiền mặt doanh nghiệp (cash-cost level)”.

Lợi thế “người khổng lồ”

Bộ Thương mại Hàn Quốc công bố dữ liệu cho thấy, xuất khẩu chip của nước này đã giảm 34,5% trong tháng 3, từ mức giảm 40% của tháng trước. Tổng kim ngạch xuất khẩu sang Trung Quốc, đối tác thương mại lớn nhất của Hàn Quốc, giảm 33,4%.

Tuần trước, Sanjay Mehrotra, CEO hãng chip nhớ Micron Technology nhận định lạc quan về sự phục hồi của thị trường trong năm nay khi nhu cầu trở lại và lượng hàng tồn kho giảm.

“Sự phục hồi sẽ càng nhanh chóng hơn nếu các doanh nghiệp tiếp tục cắt giảm nguồn cung”, ông cho biết, ám chỉ đến vai trò của Samsung trong nỗ lực chung toàn ngành.

Micron, SK Hynix và Kioxia Holdings đều đã cắt giảm chi tiêu và sản lượng với hi vọng giữ chân giá không tiếp tục rơi tự do. Tuy nhiên, Samsung, nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, vẫn đang duy trì mức chi tiêu theo kế hoạch ban đầu.

Chiến lược của tập đoàn này rất rõ ràng: tiếp tục chi tiêu trong thời kỳ suy thoái để tăng vị thế cạnh tranh. Cách tiếp cận này có thể giúp Samsung giành thị phần và phát triển công nghệ mới lấn át các đối thủ có ngân sách eo hẹp hơn như Hynix và Micron.

Tại Pyeongtaek, các công nhân của Samsung đang bận rộn xây dựng dây chuyền sản xuất chip khổng lồ thứ 4 của công ty và có kế hoạch bổ sung thêm 2 dây chuyền nữa đến cuối thập kỷ này.

Ngoài chip nhớ, Samsung cũng mở rộng hoạt động kinh doanh xưởng sản xuất bán dẫn, thị trường do TSMC thống trị. Tập đoàn này đã công bố khoản đầu tư 300 ngàn tỷ Won (229 tỷ USD) xây dựng trung tâm chip khổng lồ mới ở Yongin.

Bởi vậy, nhiều khả năng Samsung sẽ không cắt giảm sản lượng theo lời kêu gọi của các đối thủ cạnh tranh và nhà đầu tư. Vào tháng 2, Chủ tịch Lee nói với các giám đốc điều hành công ty rằng họ “không nên bối rối” trước những thách thức của ngành và cần tiếp tục đầu tư vào tương lai.

Theo Bloomberg

Samsung bác tin đồn chuyển dây chuyền smartphone từ Việt Nam sang Ấn Độ